在此篇中说明在各种工作状态下电压检测器的内部电路和动作。
以电压检测器进行检测时的”L”输出、N沟开漏输出、监控电压=输入电压为例，说明各种工作状态下的动作。
A) 释放状态 (检测电压 < 输入电压)
当输入电压比设定的检测电压高时，通过比较器、反转器使输出驱动器FET成为OFF(Hi-Z)。
因为输出驱动器FET为OFF，RESETB端子电压成为上拉电压、“H”输出。
在释放状态下，因为使电阻R3短路的FET为OFF，检测电压由R1、R2、R3的电阻决定。
A) 检测前状态（=释放状态）
・RESETB端子输出“H”⇒释放状态
・用 R1、R2 和 R3 设置检测电压
检测电压 = VREF × (R1+R2+R3) / (R2+R3)
B) 释放状态 → 检测状态
当输入电压下降，达到检测电压以下时，比较器的输出逻辑反转。比较器输出逻辑反转，使得输出驱动器FET为ON，RESETB电压端子降低到0V，成为”L”输出。
B) 当VIN下降到检测电压时
・比较器根据R1、R2和R3设置的值进行反转。
→整个电路逻辑反转，RESETB引脚反转为“L”
C) 检测状态 (输入电压 < 检测电压)
在检测状态（输入电压比检测电压低），使电阻R3短路的FET为ON。因为这个FET为ON，释放电压由R1和R2的电阻决定。
因为使电阻R3短路的FET为ON，发生检测电压与释放电压的电位差。把这个电位差称为磁滞宽度。
C) 检测状态
・RESETB端子输出“L”⇒检测状态
・用R1和R2设定释放电压
释放电压 = VREF × (R1+R2) / R2
D) 检测状态 → 释放状态
当输入电压上升，超过了释放电压时，比较器的逻辑反转，输出驱动器FET为OFF。
因为输出驱动器FET为OFF，RESETB端子电压成为上拉电压、“H”输出。
D)当VIN上升到释放电压时
・比较器根据R1和R2设定的值进行反转，整个电路的逻辑也反转。
释放电压 = VREF × (R1+R2) / R2
・RESETB端子输出“H”⇒输出上拉电压⇒返回到A的解除状态