DC/DC与电压调整器不同，随IC控制方式、特性（消耗电流、工作频率、驱动器FET的导通电阻等）或外围部件的定数及特性，效率及损耗也不同。
因此，选定外围部件时，考虑效率、安装面积、成本等是非常重要的。
本篇首先说明DC/DC的损耗、损耗比率图形的使用方法。
然后通过说明各个项目及给损耗带来影响的参数，做出选定最佳IC及外围部件的方针。
1. 关于DC/DC的损耗
DC/DC损耗是把“导通损耗”、“开关损耗”、“消耗电流”、“线圈损耗”、“其他”损耗总和在一起，称为DC/DC的整体损耗。明确了这个整体损耗，即可计算除各个输出电流的效率。
本工具可以简单地确认各个损耗的损耗比率。
这种方法在改善效率的领域中，通过掌握损耗大的项目，能进行有效地提高效率。
此外，通过在不影响效率的范围内降低外围部件的成本，在考虑成本选定最佳部件中能得到灵活运用。
2. DC/DC损耗的详细内容、影响损耗的参数
(a) 导通损耗
是由于驱动器FET导通电阻、二极管VF损耗产生的损耗。
驱动器FET导通电阻及二极管VF增大将导致损耗增大。因为起因于导通电阻的损耗与电流的2次方成比例，主要在于影响重负载时的效率。
外接了FET及二极管的产品，通过选择导通电阻及VF小的产品，可以降低导通损耗。内置了驱动器FET时，除更改产品以外不能调整导通电阻。
但是，减小驱动器FET的导通电阻，栅极电容增大，为驱动FET而使用的消耗电流增加。此外，如果选定VF小的SBD，漏电流有增加的趋势，漏电流将导致轻负载时的效率降低。
| Q1 Ron | 在驱动器FET或外接FET Q1发生的导通损耗 |
|---|---|
| Q2 Ron | 在驱动器FET或外接FET Q2发生的导通损耗 |
| D1 | 在外接二极管发生的导通损耗 |
(b) 开关损耗
开关时的开关节点上升及下降时发生的损耗。
开关损耗与开关节点的电压振幅、上升及下降速度、线圈电流（输出电流）、工作频率成比例地增加。
因为与输出电流成比例，主要在于影响重负载时的效率。
为了降低开关损耗
- 选定工作频率低的产品、或选定能降低工作频率的外围部件
- 如果是外接FET，应减小栅极电阻
- 通过减少外接FET的栅极电容，加快开关速度
以上是一般的方法。
使开关速度加快时，存在高频噪声电平增高的缺点。
此外，减小栅极电容时，因为对于相同工艺的FET，导通电阻有增大的趋势，进行选定FET时，有必要考虑开关损耗与导通损耗的平衡。
此外本工具中，包含了在”Switching Loss”的死区中发生的损耗。
死区是为了防止在同步整流方式的DC/DC High Side驱动器与Low Side驱动器，同时成为ON的期间而特意设置的，也就是High Side驱动器与Low Side驱动器同时成为OFF的期间。在死区期间中，将发生线圈电流在驱动器FET的寄生二极管中流动的损耗。
| Switching Loss | 发生在开关节点上升和下降时的开关损耗 ＋在死区发生的损耗 |
|---|
(c) 消耗电流
是在IC的内部电路、为驱动驱动器FET而使用的消耗电流。
依存于IC的消耗电流、开关频率、驱动器FET栅极电容。主要在于影响轻负载时的效率。
为了减少消耗电流
- 选定消耗电流低的产品
- 为了降低开关频率，选择PFM控制方式的DC/DC
- 选定栅极电容小的驱动器FET
以上是一般的方法。
关于IC的消耗电流、控制方式、开关频率，对于选定DC/DC非常重要。
此外，在减小栅极电容时，因为相同工艺的FET有导通电阻增大的趋势，在进行选定FET时，有必要考虑与导通损耗的平衡。
| Supply Current | IC内部电路动作、驱动器FET驱动时使用的消耗电流 |
|---|
(d) 线圈损耗
是在线圈发生的损耗。
主要是由线圈的DCR、ACR等发生的损耗。
DCR是DC的电阻成分，线圈电流增大将发生与线圈电流的2次方成比例的损耗。主要在于影响重负载时的效率。
ACR是AC的电阻成分，由于表皮效应的影响，频率增高，导致电阻成分增加。主要在线圈电流振幅增大，DC电流小的PFM时影响效率。
随电感器不同，从电感器制造商的网站可以确认ACR特性。
本工具，不能输入ACR，是与DCR成一定的倍率而设计的。
如果希望输入ACR实施模拟时，请单独咨询。
| Coil | 由线圈的DCR、ACR、磁滞损耗发生的损耗 |
|---|
(e) 其他
上述以外的其他损耗。
本工具作为上述以外的损耗，还能计算由输入线的电阻成分（Rvin）及输出电容ESR引起的损耗。
输入线的电阻成分（Rvin），如果电阻值增大、将使效率大幅度降低并给最大输出电流带来很大影响，必须充分考虑进行设计。
| ESR | 在输出电容ESR发生的损耗 |
|---|---|
| Rvin | 由输入线的电阻成分发生的损耗 |