-30V -3A P沟道 功率MOS FET

The XP202A0003MR is an P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.

Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy.

In order to counter static, a gate protect diode is built-in.

封装

封装名称 引脚数 个/Reel 外形尺寸(mm)
SOT-23 3 3,000 2.8 x 2.9 x 1.3

XP202A0003MR 系列型号列表

型号 样品 Packages EDA 在线商店

XP202A0003MR-G

SOT-23

XP202A0003MR 系列相关咨询

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