SiC Schottky Barrier Diodes (650V, 10A)

650V SiC 肖特基势垒二极管 10A 显著增强了 IFSM（浪涌正向电流能力），即使在恶劣的浪涌环境下也能确保稳定运行，使其成为工业电源、电动汽车外围设备和逆变器等各种应用的理想产品。
 

特点

Repetitive Peak Reverse Voltage VRM=650V
Forward Current IF(AVE)=10A
Forward Voltage VF=1.35V (TYP.)

技术文件

  • Product Overview

    • 封装

    封装名称 引脚数 个/Reel 外形尺寸（mm）
    TO-220AC 2 1,000 / 20 Tubes 10.29 x 28.69 x 4.75
    TO-220FM-2 2 1,000 / 20 Tubes 10.10 x 28.97 x 4.90

    XBSC43A106 系列型号列表

    型号 样品 封装 EDA 在线商店

    XBSC43A106CS-G

    		 TO-220AC

    XBSC43A106FS-G

    		 TO-220FM-2

    XBSC43A106 系列相关咨询

    请稍等片刻，直到页面显示。

    如果该页面一直未显示，请通过咨询页面与我们联系。